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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS42S32200C1-55TL
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6941053IS42S32200C1-55TL imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S32200C1-55TL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS42S32200C1-55TL
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.15 V ~ 3.45 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    86-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    2 (1 Year)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    64Mb (2M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 183MHz 5ns 86-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    183MHz
  • Temps d'accès
    5ns
IS42S32200C1-6T

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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160F-7BL-TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

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IS42S32200C1-55T

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IS42S32160F-7BL

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IS42S32160F-7TL

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IS42S32160F-7TLI

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IS42S32200C1-7B

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IS42S32200C1-7BI

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