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IS42S32800G-6BI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS42S32800G-6BI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SDRAM
  • Package composant fournisseur
    90-TFBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    90-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (8M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5.4ns
IS42S32800D-7TLI

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32800G-6BL

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