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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS43LR32160B-6BL
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IS43LR32160B-6BL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS43LR32160B-6BL
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    12ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    90-TFBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    90-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (16M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    5.5ns
IS43LR32100C-6BLI-TR

IS43LR32100C-6BLI-TR

La description: IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LR32200B-6BLI

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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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La description: IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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