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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS43R83200B-5TL
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5352688IS43R83200B-5TL imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43R83200B-5TL

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS43R83200B-5TL
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    66-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    2 (1 Year)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (32M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    700ps
IS43R83200B-6TL-TR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R32800D-6BL

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IS43R83200F-5TL

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IS43R83200D-6TLI

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IS43R32800D-5BLI

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