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IS43R86400E-5BLI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS43R86400E-5BLI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    60-TFBGA (13x8)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (13x8)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    700ps
IS43R86400E-6BL

IS43R86400E-6BL

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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