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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS46DR16320C-3DBLA1
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4205754IS46DR16320C-3DBLA1 imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS46DR16320C-3DBLA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS46DR16320C-3DBLA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    84-TWBGA (8x12.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    84-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (32M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA (8x12.5)
  • Fréquence d'horloge
    333MHz
  • Temps d'accès
    450ps
IS46DR16160B-25DBLA2

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46DR16320D-25DBLA1

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IS46DR16160B-3DBLA1-TR

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IS46DR16160B-3DBLA1

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IS46DR16160B-25DBLA1-TR

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IS46DR16320D-25DBLA2-TR

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