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6412977IS49NLC36800-25B imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS49NLC36800-25B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS49NLC36800-25B
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    DRAM
  • Package composant fournisseur
    144-FCBGA (11x18.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    144-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    288Mb (8M x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    DRAM Memory IC 288Mb (8M x 36) Parallel 400MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Temps d'accès
    20ns
IS49NLC36800-25WBL

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La description: IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49NLC36160-25B

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La description: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49NLC36160-33BI

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La description: IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49NLC36800-33B

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IS49NLC36800-25BLI

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IS49NLC36160A-25EWBL

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