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IS49RL36160-107EBLI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS49RL36160-107EBLI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.28 V ~ 1.42 V
  • La technologie
    DRAM
  • Package composant fournisseur
    168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    168-LBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    576Mb (16M x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 933MHz 8ns 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)
  • Fréquence d'horloge
    933MHz
  • Temps d'accès
    8ns
IS49RL18320-125BL

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS49RL36160-125EBLI

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IS49RL18320-107BL

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IS49RL36160-125BL

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IS49RL36160-093BLI

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IS49RL18320-107EBLI

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