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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS61NVF51236-7.5TQI
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IS61NVF51236-7.5TQI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS61NVF51236-7.5TQI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.375 V ~ 2.625 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous
  • Package composant fournisseur
    100-TQFP (14x20)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    100-LQFP
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    2 (1 Year)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    18Mb (512K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 117MHz 7.5ns 100-TQFP (14x20)
  • Fréquence d'horloge
    117MHz
  • Temps d'accès
    7.5ns
IS61NVF51236-6.5TQL-TR

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NVF51236-6.5B3I-TR

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NVF51236-6.5TQL

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NVF51236-7.5TQI-TR

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NVF51236-6.5B3

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NVF51236-6.5B3I

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IS61NVF51236B-7.5TQLI-TR

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IS61NVP102418-200B3I

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IS61NVP102418-200B3

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IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR

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IS61NVF51236B-7.5TQLI

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IS61NVF51236B-6.5TQL

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