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6726924IS61NVP51236B-200TQLI-TR imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61NVP51236B-200TQLI-TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS61NVP51236B-200TQLI-TR
  • Fabricant / marque
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IS61NVP51236B-200TQLI-TR.pdf
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.375 V ~ 2.625 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous
  • Package composant fournisseur
    100-LQFP (14x20)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    100-LQFP
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    18Mb (512K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 100-LQFP (14x20)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    3ns

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IS61QDB21M36C-250M3

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IS61QDB21M36C-250M3L

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La description: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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IS61QDB21M36-250M3

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IS61QDB22M18-250M3

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La description: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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IS61QDB21M18A-250B4LI

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

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IS61NVP51236B-200B3I

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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