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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS62WV25616DALL-55BLI
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5876726IS62WV25616DALL-55BLI imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS62WV25616DALL-55BLI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS62WV25616DALL-55BLI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    55ns
  • Tension - Alimentation
    1.65 V ~ 2.2 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    48-TFBGA (6x8)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    48-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Mb (256K x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (6x8)
  • Temps d'accès
    55ns
IS62WV25616DALL-55BLI-TR

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS62WV25616DALL-55TI -TR

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS62WV25616DALL-55TLI

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La description: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS62WV25616BLL-55TI-TR

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS62WV25616DBLL-45BLI

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IS62WV25616DALL-55TL

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