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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS64WV5128BLL-10CTLA3
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2887664IS64WV5128BLL-10CTLA3 imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS64WV5128BLL-10CTLA3

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS64WV5128BLL-10CTLA3
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    10ns
  • Tension - Alimentation
    2.4 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Package composant fournisseur
    44-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    44-TSSOP (0.244", 6.20mm Width) Exposed Pad
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Mb (512K x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 10ns 44-TSOP II
  • Temps d'accès
    10ns
IS64WV6416BLL-15TA3

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La description: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR

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La description: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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La description: IC SRAM 8M PARALLEL 48BGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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La description: IC SRAM 4M PARALLEL 36MBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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