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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > FMM110-015X2F
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FMM110-015X2F

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FMM110-015X2F
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    FMM110-015X2F.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Package composant fournisseur
    ISOPLUS i4-PAC™
  • Séries
    GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 55A, 10V
  • Puissance - Max
    180W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    i4-Pac™-5
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    8600pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • type de FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Fonction FET
    Standard
  • Tension drain-source (Vdss)
    150V
  • Description détaillée
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    53A
  • Numéro de pièce de base
    FMM

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FMM11DRES

FMM11DRES

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FMM10DSEI-S243

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FMM11DREI

FMM11DREI

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FMM11DRKH-S13

FMM11DRKH-S13

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FMM10DSEH-S243

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FMM10DSES

FMM10DSES

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FMM11DRAH

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FMM10DSEN-S243

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FMM11DRKF-S13

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FMM11DREF

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FMM10DSEN

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FMM11DRKF

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FMM10DSES-S243

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FMM10DSEH-S13

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FMM10DSEI

FMM10DSEI

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FMM11DRKH

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FMM10DSEI-S13

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FMM10DSEN-S13

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FMM11DREN

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FMM11DREH

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