IXFA10N60P

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Spécifications

Modèle de produit

IXFA10N60P
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFA10N60P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-263 (IXFA)
Séries

HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

740 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

200W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1610pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 10A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFA10N60P".

IXFA180N10T2

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

Fabricant: IXYS Corporation

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