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IXFA34N65X2

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Spécifications

Modèle de produit

IXFA34N65X2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFA34N65X2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-263AA
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 17A, 10V
Dissipation de puissance (max)

540W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IXFA34N65X2X
IXFA34N65X2X-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3330pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

34A (Tc)

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IXFA38N30X3

La description: FET N-CHANNEL

Fabricant: IXYS Corporation

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