IXFB170N30P

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Spécifications

Modèle de produit

IXFB170N30P
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH TO-264
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFB170N30P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PLUS264™
Séries

HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 85A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1250W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

258nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

300V
Description détaillée

N-Channel 300V 170A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

170A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXFB170N30P".

IXFB210N20P

La description: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264

Fabricant: IXYS Corporation

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