IXFC80N10

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Spécifications

Modèle de produit

IXFC80N10
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFC80N10.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ISOPLUS220™
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5 mOhm @ 40A, 10V
Dissipation de puissance (max)

230W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

ISOPLUS220™
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFC80N10".

IXFD23N60Q-72

La description: MOSFET N-CHANNEL 600V DIE

Fabricant: IXYS Corporation

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