IXFG55N50

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Spécifications

Modèle de produit

IXFG55N50
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFG55N50.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ISO264™
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

400W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

ISO264™
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 48A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISO264™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

48A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXFG55N50".

IXFE44N60

La description: MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation

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