IXFH42N50P2

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Spécifications

Modèle de produit

IXFH42N50P2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 500V 42A TO247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFH42N50P2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247AD (IXFH)
Séries

HiPerFET™, PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

145 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

830W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 42A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

42A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFH42N50P2".

IXFH4N100Q

La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD

Fabricant: IXYS Corporation

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