IXFK26N100P

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Spécifications

Modèle de produit

IXFK26N100P
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFK26N100P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-264AA (IXFK)
Séries

HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)

780W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 26A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

26A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXFK26N100P".

IXFK24N80P

La description: MOSFET N-CH 800V 24A TO-264

Fabricant: IXYS Corporation

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