IXFP12N65X2

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Spécifications

Modèle de produit

IXFP12N65X2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

IXFP12N65X2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

310 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

180W (Tc)
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1134pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXFP12N65X2".

IXFP102N15T

La description: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220

Fabricant: IXYS Corporation

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