IXFP8N85XM

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Spécifications

Modèle de produit

IXFP8N85XM
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

IXFP8N85XM.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220 Isolated Tab
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

33W (Tc)
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

Not Applicable
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

654pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

850V
Description détaillée

N-Channel 850V 8A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFP8N85XM".

IXFP8N50PM

La description: MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220

Fabricant: IXYS Corporation

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