IXFQ24N50P2

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Spécifications

Modèle de produit

IXFQ24N50P2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

500V POLAR2 HIPERFETS
État sans plomb / État RoHS

Sans objet / Sans objet
Livret des spécifications

IXFQ24N50P2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3P
Séries

HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

480W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Not applicable / Not applicable
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2890pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 24A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

24A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFQ24N50P2".

IXFQ24N50Q

La description: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P

Fabricant: IXYS Corporation

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