IXFT23N80Q

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Spécifications

Modèle de produit

IXFT23N80Q
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFT23N80Q.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 3mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-268
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

500W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 23A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

23A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFT23N80Q".

IXFT24N50Q

La description: MOSFET N-CH 500V 24A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation

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