Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTA08N100P
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4123593IXTA08N100P imageIXYS Corporation

IXTA08N100P

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
50+
$1.955
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IXTA08N100P
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IXTA08N100P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-263 (IXTA)
  • Séries
    Polar™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 Ohm @ 500mA, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    42W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    24 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    240pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    11.3nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    1000V
  • Description détaillée
    N-Channel 1000V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    800mA (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IXTA08N100P".
IXTA110N055T2

IXTA110N055T2

La description: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA10P50PTRL

IXTA10P50PTRL

La description: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA05N100

IXTA05N100

La description: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

La description: MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXT-1-1N100S1-TR

IXT-1-1N100S1-TR

La description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA02N250

IXTA02N250

La description: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA08N120P

IXTA08N120P

La description: MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA06N120P

IXTA06N120P

La description: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA02N250HV

IXTA02N250HV

La description: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA10N60P

IXTA10N60P

La description: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA08N100D2

IXTA08N100D2

La description: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA05N100HV

IXTA05N100HV

La description: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA110N055T

IXTA110N055T

La description: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA102N15T

IXTA102N15T

La description: MOSFET N-CH 150V 102A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV

La description: MOSFET N-CH

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXT-1-1N100S1

IXT-1-1N100S1

La description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA100N04T2

IXTA100N04T2

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA02N450HV

IXTA02N450HV

La description: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA110N055P

IXTA110N055P

La description: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTA10P50P

IXTA10P50P

La description: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.