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2996862IXTA90N055T imageIXYS Corporation

IXTA90N055T

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IXTA90N055T
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 50µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-263 (IXTA)
  • Séries
    TrenchT2™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    176W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2500pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    61nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    55V
  • Description détaillée
    N-Channel 55V 90A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    90A (Tc)
715C30DKT5

715C30DKT5

La description: CAP CER 2000PF 30KV Y5U DISK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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