IXTF2N300P3

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Spécifications

Modèle de produit

IXTF2N300P3
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

IXTF2N300P3.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

ISOPLUS i4-PAC™
Séries

Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

160W (Tc)
Package / Boîte

ISOPLUSi5-Pak™
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

3000V
Description détaillée

N-Channel 3000V 1.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.6A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXTF2N300P3".

IXTF1N400

La description: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4

Fabricant: IXYS Corporation

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