IXTH67N10

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Spécifications

Modèle de produit

IXTH67N10
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTH67N10.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 (IXTH)
Séries

MegaMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 33.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

67A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTH67N10".

IXTH60N20L2

La description: MOSFET N-CH 200V 60A TO-247

Fabricant: IXYS Corporation

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