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IXTM12N100

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Spécifications

Modèle de produit

IXTM12N100
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MOSFET TO-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTM12N100.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-204AA
Séries

GigaMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Package / Boîte

TO-204AA, TO-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTM12N100".

IXTM40N30

La description: POWER MOSFET TO-3

Fabricant: IXYS Corporation

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