IXTP05N100P

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Spécifications

Modèle de produit

IXTP05N100P
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTP05N100P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

196pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 500mA (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

500mA (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTP05N100P".

IXTN90P20P

La description: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227

Fabricant: IXYS Corporation

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