IXTP110N055T2

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Spécifications

Modèle de produit

IXTP110N055T2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTP110N055T2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)

180W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3060pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 110A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

110A (Tc)

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livraison
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IXTP08N50D2

La description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

Fabricant: IXYS Corporation

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