IXTQ170N10P

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Spécifications

Modèle de produit

IXTQ170N10P
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTQ170N10P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3P
Séries

Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

715W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

198nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

170A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTQ170N10P".

IXTQ180N10T

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P

Fabricant: IXYS Corporation

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