IXTQ30N60P

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Spécifications

Modèle de produit

IXTQ30N60P
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTQ30N60P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3P
Séries

PolarHV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)

540W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5050pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

30A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTQ30N60P".

IXTQ44N50P

La description: MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P

Fabricant: IXYS Corporation

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