Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTT110N10P
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
5503955IXTT110N10P imageIXYS Corporation

IXTT110N10P

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
30+
$6.081
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IXTT110N10P
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IXTT110N10P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-268
  • Séries
    PolarHT™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    480W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    3550pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 110A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    110A (Tc)

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IXTT110N10P".
IXTT10P50

IXTT10P50

La description: MOSFET P-CH 500V 10A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

La description: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT120N15P

IXTT120N15P

La description: MOSFET N-CH 150V 120A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT110N10L2

IXTT110N10L2

La description: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT140P10T

IXTT140P10T

La description: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

La description: MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT10N100D

IXTT10N100D

La description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT02N450HV

IXTT02N450HV

La description: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT10P60

IXTT10P60

La description: MOSFET P-CH 600V 10A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT16N50D2

IXTT16N50D2

La description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT100N25P

IXTT100N25P

La description: MOSFET N-CH 250V 100A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

La description: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTR90P10P

IXTR90P10P

La description: MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTR90P20P

IXTR90P20P

La description: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT12N150

IXTT12N150

La description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTR62N15P

IXTR62N15P

La description: MOSFET N-CH ISOPLUS-247

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT10N100D2

IXTT10N100D2

La description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

La description: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT12N140

IXTT12N140

La description: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT11P50

IXTT11P50

La description: MOSFET P-CH 500V 11A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.