IXTY1R6N100D2

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Spécifications

Modèle de produit

IXTY1R6N100D2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTY1R6N100D2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252, (D-Pak)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V
Dissipation de puissance (max)

100W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

-
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.6A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTY1R6N100D2".

IXTY1R4N60P

La description: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Fabricant: IXYS Corporation

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