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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > MUBW50-12A8
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MUBW50-12A8

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MUBW50-12A8
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MODULE IGBT CBI E3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    1200V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 50A
  • Package composant fournisseur
    E3
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    350W
  • Package / Boîte
    E3
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • NTC thermistance
    Yes
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
    3.3nF @ 25V
  • Contribution
    Three Phase Bridge Rectifier
  • type de IGBT
    NPT
  • Description détaillée
    IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 1200V 85A 350W Chassis Mount E3
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    3.7mA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    85A
  • Configuration
    Three Phase Inverter with Brake
  • Numéro de pièce de base
    MUBW
MUBW35-12A8

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La description: MODULE IGBT CBI E3

Fabricant: IXYS Corporation
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MUBW50-12E8

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MUBW35-06A6

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MUBW30-06A7

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La description: MODULE IGBT CBI E2

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MUBW30-12A6K

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MUBW50-17T8

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Fabricant: IXYS Corporation
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MUBW75-06A8

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MUBW6-06A6

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MUBW40-12T7

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MUBW35-12A7

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MUBW50-12T8

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MUBW35-06A6K

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MUBW75-17T8

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MUBW30-12A6

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MUBW45-12T6K

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MUBW50-06A8

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MUBW30-12E6K

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MUBW35-12E7

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