UGE0221AY4

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Spécifications

Modèle de produit

UGE0221AY4
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 4.8KV 10.2A UGE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

UGE0221AY4.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

4.8V @ 30A
Tension - inverse (Vr) (max)

4800V
Package composant fournisseur

UGE
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Bulk
Package / Boîte

UGE
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 4800V 10.2A Chassis Mount UGE
Courant - fuite, inverse à Vr

2mA @ 4800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

10.2A
Capacité à Vr, F

-
Numéro de pièce de base

UGE

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UGE1112AY4

La description: DIODE GEN PURP 8KV 4.2A UGE

Fabricant: IXYS Corporation

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