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2N7002L6327HTSA1

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Spécifications

Modèle de produit

2N7002L6327HTSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N7002L6327HTSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-SOT23-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

500mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

2N7002 L6327
2N7002 L6327-ND
2N7002L6327
SP000408440
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

300mA (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "2N7002L6327HTSA1".

2N7002LT3

La description: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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