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702245

BCR 158 B6327

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Spécifications

Modèle de produit

BCR 158 B6327
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BCR 158 B6327.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur

SOT-23-3
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

47 kOhms
Résistance - Base (R1)

2.2 kOhms
Puissance - Max

200mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

BCR 158 B6327-ND
BCR158B6327
BCR158B6327XT
SP000056353
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

200MHz
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

BCR158

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