International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC032NE2LSATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSC032NE2LSATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSC032NE2LSATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TDSON-8
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.8W (Ta), 78W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

BSC032NE2LS
BSC032NE2LS-ND
BSC032NE2LSATMA1TR
BSC032NE2LSTR-ND
SP000854378
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

N-Channel 25V 22A (Ta), 84A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

22A (Ta), 84A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "BSC032NE2LSATMA1".

BSC030N04NSGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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