BSC059N03ST

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Spécifications

Modèle de produit

BSC059N03ST
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 35µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TDSON-8 Dual
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)

-
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerVDFN
Autres noms

SP000014717
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2670pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 19A (Ta), 89A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

19A (Ta), 89A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "BSC059N03ST".

BSC057N03MSGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSC059N03ST

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