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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > BSO080P03SHXUMA1

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BSO080P03SHXUMA1 image

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO080P03SHXUMA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSO080P03SHXUMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSO080P03SHXUMA1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

P-DSO-8
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 14.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.79W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

BSO080P03S H
BSO080P03S H-ND
BSO080P03S HTR-ND
BSO080P03SH
BSO080P03SHXUMA1TR
SP000613798
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5890pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

136nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount P-DSO-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12.6A (Ta)

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