BSP135H6433XTMA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSP135H6433XTMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 94µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 Ohm @ 120mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

SP001058592
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

146pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

0V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

120mA (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "BSP135H6433XTMA1".

BSP129H6327XTSA1

La description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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