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BSS123L6433HTMA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSS123L6433HTMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSS123L6433HTMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 50µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23-3
Séries

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 170mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

360mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

BSS123 L6433
BSS123 L6433-ND
BSS123 L6433TR-ND
BSS123L6433HTMA1TR
SP000247292
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

69pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

2.67nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

170mA (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "BSS123L6433HTMA1".

BSS123LT1G

La description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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