International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ033NE2LS5ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSZ033NE2LS5ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSZ033NE2LS5ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TSDSON-8-FL
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.1W (Ta), 30W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

SP001288158
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18.3nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

N-Channel 25V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Ta), 40A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "BSZ033NE2LS5ATMA1".

BSZ0500NSIATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SON

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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