International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ065N03LSATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSZ065N03LSATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSZ065N03LSATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TSDSON-8-FL
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.1W (Ta), 26W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

BSZ065N03LSATMA1CT
BSZ065N03LSCT
BSZ065N03LSCT-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Ta), 40A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "BSZ065N03LSATMA1".

BSZ0501NSIATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 25A 8SON

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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