DD1200S12H4HOSA1

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Spécifications

Modèle de produit

DD1200S12H4HOSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOD DIODE 1200A IHMB130-2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DD1200S12H4HOSA1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 1200A
Package composant fournisseur

Module
Séries

-
Puissance - Max

1200000W
Package / Boîte

Module
Autres noms

SP001172132
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Contribution

Standard
type de IGBT

-
Description détaillée

IGBT Module 2 Independent 1200V 1200A 1200000W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1200A
Configuration

2 Independent

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "DD1200S12H4HOSA1".

DD12.9121.111

La description: PWR ENT MOD RCPT IEC320-C14 PNL

Fabricant: Schurter

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