FP50R07N2E4BOSA1

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Spécifications

Modèle de produit

FP50R07N2E4BOSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT MODULE VCES 600V 50A
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

FP50R07N2E4BOSA1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur

Module
Séries

-
Package / Boîte

Module
Autres noms

FP50R07N2E4
FP50R07N2E4-ND
SP000843256
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant

48 Weeks
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 650V 70A Chassis Mount Module
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

70A
Configuration

Three Phase Inverter

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FP50R07N2E4BOSA1".

FP50R12KT4B11BOSA1

La description: IGBT MODULE 1200V 50A

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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