IDH10G65C5ZXKSA1

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Spécifications

Modèle de produit

IDH10G65C5ZXKSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Silicon Carbide Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

10A (DC)
Tension - Ventilation

PG-TO220-2
Séries

thinQ!™
Temps de recouvrement inverse (trr)

No Recovery Time > 500mA (Io)
Résistance @ Si, F

300pF @ 1V, 1MHz
Polarisation

TO-220-2
Autres noms

SP001128936
Température d'utilisation - Jonction

0ns
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

IDH10G65C5ZXKSA1
Description élargie

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Configuration diode

180µA @ 650V
La description

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2
Courant - fuite, inverse à Vr

1.7V @ 10A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

650V
Capacité à Vr, F

-55°C ~ 175°C

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La description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2

Fabricant: Infineon Technologies

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