International Rectifier (Infineon Technologies)

IGB03N120H2ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IGB03N120H2ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IGB03N120H2ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A
Condition de test

800V, 3A, 82 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

9.2ns/281ns
énergie de commutation

290µJ
Package composant fournisseur

PG-TO263-3
Séries

-
Puissance - Max

62.5W
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IGB03N120H2
IGB03N120H2-ND
IGB03N120H2ATMA1TR
SP000014616
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

-
gate charge

22nC
Description détaillée

IGBT 1200V 9.6A 62.5W Surface Mount PG-TO263-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

9.9A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

9.6A

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Ce qui suit est des produits liés à "IGB03N120H2ATMA1".

IRG4BC30FDSTRRP

La description: IGBT 600V 31A 100W D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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